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IRF520SPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF520SPBF
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF520SPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

3.7W (Ta), 60W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 9.2A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.2A (Tc)

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IRF520NPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB

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IRF520NSTRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK

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IRF5210SPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 40A TO-262

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