IRFSL9N60APBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRFSL9N60APBF
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRFSL9N60APBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

170W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

*IRFSL9N60APBF
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.2A (Tc)

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Das Folgende sind "IRFSL9N60APBF" -Einziper.

IRFSL7530PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRFSL9N60APBF

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