IRL510STRLPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRL510STRLPBF
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRL510STRLPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

540 mOhm @ 3.4A, 5V
Verlustleistung (max)

3.7W (Ta), 43W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

11 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.6A (Tc)

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Das Folgende sind "IRL510STRLPBF" -Einziper.

IRL510A

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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