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6804617S1GHE3_A/H-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

S1GHE3_A/H

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45000+
$0.06
90000+
$0.053
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1GHE3_A/H
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.S1GHE3_A/H.pdf
    2.S1GHE3_A/H.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.8µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    S1GHE3_A/H-ND
    S1GHE3_A/HGITR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    12pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    S1G

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Das Folgende sind "S1GHE3_A/H" -Einziper.
S1GHE3/5AT

S1GHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GL RFG

S1GL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GFL

S1GFL

Beschreibung: DIODE GP 400V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1GL MTG

S1GL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GHM3/61T

S1GHM3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GL MQG

S1GL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GBHR5G

S1GBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GFS MXG

S1GFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 400V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GL R3G

S1GL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GHM2G

S1GHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GFSHMXG

S1GFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 400V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GHE3/61T

S1GHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GHE3_A/I

S1GHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GHE

S1GHE

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1GFS MWG

S1GFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 400V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GFSHMWG

S1GFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 400V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GBTR

S1GBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S1GL M2G

S1GL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GHR3G

S1GHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GL MHG

S1GL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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