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1316279S1GBTR-Bild.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

S1GBTR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1GBTR
  • Hersteller / Marke
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S1GBTR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMB
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    S1GBTRSMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount SMB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S1GBTR" -Einziper.
S1GBHR5G

S1GBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GB-13

S1GB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1GA-E3/5AT

S1GA-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GFL

S1GFL

Beschreibung: DIODE GP 400V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1GHE

S1GHE

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD323HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1G/1

S1G/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1G200-CA91-02

S1G200-CA91-02

Beschreibung: FAN AXIAL

Hersteller: ebm-papst Inc.
vorrätig
RFQ
S1GHE3_A/H

S1GHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GFSHMXG

S1GFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 400V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GFS MWG

S1GFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 400V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GB-13-F

S1GB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1GHE3/5AT

S1GHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GA-E3/61T

S1GA-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GHE3_A/I

S1GHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GHE3/61T

S1GHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1GFS MXG

S1GFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 400V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GB M4G

S1GB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GB R5G

S1GB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GBHM4G

S1GBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1GFSHMWG

S1GFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 400V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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