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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S1KA-E3/5AT
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1689809S1KA-E3/5AT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

S1KA-E3/5AT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1KA-E3/5AT
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.S1KA-E3/5AT.pdf
    2.S1KA-E3/5AT.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    3µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    S1K

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Das Folgende sind "S1KA-E3/5AT" -Einziper.
S1K

S1K

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1KBHM4G

S1KBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KB M4G

S1KB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1K-M3/5AT

S1K-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GPP 1A 800V DO-214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1KFS MWG

S1KFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 800V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KB-13

S1KB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1K M2G

S1K M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KB R5G

S1KB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KBTR

S1KBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S1KFP

S1KFP

Beschreibung: DIODE GP 800V 1.2A SOD-123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1KB-13-F

S1KB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1K-E3/61T

S1K-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1K-M3/61T

S1K-M3/61T

Beschreibung: DIODE GPP 1A 800V DO-214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1K-13

S1K-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1K-LTP

S1K-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S1K R3G

S1K R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1K-E3/5AT

S1K-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1KA-E3/61T

S1KA-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1KBHR5G

S1KBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1K-13-F

S1K-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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