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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S5JHE3/9AT
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2365717S5JHE3/9AT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

S5JHE3/9AT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S5JHE3/9AT
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S5JHE3/9AT.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2.5µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    S5J

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Das Folgende sind "S5JHE3/9AT" -Einziper.
S5J M6G

S5J M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JBHR5G

S5JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5J V7G

S5J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JCTR

S5JCTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A SMC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S5J-M3/9AT

S5J-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GPP 5A 600V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5J-E3/9AT

S5J-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JHE3_A/I

S5JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JL-TP

S5JL-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S5J-M3/57T

S5J-M3/57T

Beschreibung: DIODE GPP 5A 600V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JC-13

S5JC-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S5JB R5G

S5JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JB M4G

S5JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UF3004-T

UF3004-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S5J-E3/57T

S5J-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JHE3/57T

S5JHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5J V6G

S5J V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JC-13-F

S5JC-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
APTDF430U100G

APTDF430U100G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 500A LP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
S5JHE3_A/H

S5JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5J R7G

S5J R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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