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5061784S5J V6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S5J V6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S5J V6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S5J V6G.pdf
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    1.5µs
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S5J V6G-ND
    S5JV6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S5J V6G" -Einziper.
SB550-E3/51

SB550-E3/51

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JB R5G

S5JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5J-E3/57T

S5J-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JBHR5G

S5JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JCTR

S5JCTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A SMC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S5J-M3/9AT

S5J-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GPP 5A 600V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JHE3/57T

S5JHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5J R7G

S5J R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JL-TP

S5JL-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S5JC-13-F

S5JC-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S5J-M3/57T

S5J-M3/57T

Beschreibung: DIODE GPP 5A 600V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5J M6G

S5J M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JHE3_A/H

S5JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5J-E3/9AT

S5J-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JB M4G

S5JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JHE3_A/I

S5JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5JC-13

S5JC-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S5J V7G

S5J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S5JHE3/9AT

S5JHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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