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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S5MS-M3/9AT

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S5MS-M3/9AT-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

S5MS-M3/9AT

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Spezifikation

Artikelnummer

S5MS-M3/9AT
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GP 1KV 1.6A DO214AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

S5MS-M3/9AT.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 5A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1000V
Supplier Device-Gehäuse

DO-214AB (SMC)
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

2.5µs
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

DO-214AB, SMC
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 1000V 1.6A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 1000V
Strom - Richt (Io)

1.6A
Kapazität @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S5MS-M3/9AT" -Einziper.

S5MB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

S5MC-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

S5MHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5M V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

S5M R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

S5MS-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GP 1KV 1.6A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5MCTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A SMC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

vorrätig

S5MHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5MB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 5A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

S5M-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5MS-E3/57T

Beschreibung: DIODE GP 1KV 1.6A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5M-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5MS-M3/57T

Beschreibung: DIODE GP 1KV 1.6A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5ML-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

S5M-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GPP 5A 1000V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5MHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5MHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5M-M3/57T

Beschreibung: DIODE GPP 5A 1000V DO-214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

S5MC-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

S5M V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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