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S8CK-M3/I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8CK-M3/I
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    985mV @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4µs
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    53 Weeks
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    79pF @ 4V, 1MHz
S8CJHM3/I

S8CJHM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAV20W-E3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
HER105-TP

HER105-TP

Beschreibung: DIODE GPP HE 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
JANTXV1N6077

JANTXV1N6077

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
SMBT1587T1G

SMBT1587T1G

Beschreibung: DIODE STD REC SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS21AHT1G

BAS21AHT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
JAN1N6640

JAN1N6640

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
SRT110HR0G

SRT110HR0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4004GHB0G

1N4004GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
S8CM-M3/I

S8CM-M3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8CJ-M3/I

S8CJ-M3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
FR6B02

FR6B02

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
S8CGHM3/I

S8CGHM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4148-TAP

1N4148-TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8CKHM3/I

S8CKHM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
UFS560GE3/TR13

UFS560GE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
S8CMHM3/I

S8CMHM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SK56TR

SK56TR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V SMC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
FGP10DHE3/73

FGP10DHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
S8CG-M3/I

S8CG-M3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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