Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > JAN1N6640
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5791044

JAN1N6640

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
115+
$8.852
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    JAN1N6640
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 300mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/609
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    D, Axial
  • Andere Namen
    1086-20013
    1086-20013-MIL
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 300mA Through Hole
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    300mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
JAN1N6642UB2

JAN1N6642UB2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6631

JAN1N6631

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6642UBCA

JAN1N6642UBCA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6638

JAN1N6638

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
JAN1N6641

JAN1N6641

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6639

JAN1N6639

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6642UB2R

JAN1N6642UB2R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6642UBCC

JAN1N6642UBCC

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6642

JAN1N6642

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden