SI1031X-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1031X-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1031X-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-75A
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 150mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

300mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-75A
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 155mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

155mA (Ta)

Das Folgende sind "SI1031X-T1-E3" -Einziper.

SI1031-B-GM3R

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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SI1032-B-GM3

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