SI1032X-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

3000+

$0.152

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI1032X-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1032X-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-3
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

300mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-89, SOT-490
Andere Namen

SI1032X-T1-GE3TR
SI1032XT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

Das Folgende sind "SI1032X-T1-GE3" -Einziper.

SI1032-B-GM3R

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1033-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1033-B-GM3R

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1033-A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1034-A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1032X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI1031X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI1032-A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1031R-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI1033-B-GM3

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1032R-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI1032R-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI1033X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI1034-B-GM3R

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1034-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1034-B-GM3

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1032-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

SI1031X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI1033X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI1032-B-GM3

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

SI1032X-T1-GE3

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

SI1032-B-GM3R

SI1033-A-GM

SI1033-B-GM3R

SI1033-A-GMR

SI1034-A-GMR

SI1032X-T1-E3

SI1031X-T1-GE3

SI1032-A-GMR

SI1031R-T1-GE3

SI1033-B-GM3

SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-E3

SI1033X-T1-E3

SI1034-B-GM3R

SI1034-A-GM

SI1034-B-GM3

SI1032-A-GM

SI1031X-T1-E3

SI1033X-T1-GE3

SI1032-B-GM3

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache