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4484458SI1034X-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1034X-T1-GE3

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  • Artikelnummer
    SI1034X-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI1034X-T1-GE3.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-89-6
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Leistung - max
    250mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    SI1034X-T1-GE3TR
    SI1034XT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.75nC @ 4.5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 180mA 250mW Surface Mount SC-89-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    180mA
  • Basisteilenummer
    SI1034

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SI1034CX-T1-GE3

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F

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