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1064080SI1067X-T1-GE3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI1067X-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI1067X-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    950mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-89-6
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 1.06A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    236mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    375pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.3nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -
SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V SC-89

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1065X-T1-GE3

SI1065X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1065-A-GM

SI1065-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1065X-T1-E3

SI1065X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1064-A-GMR

SI1064-A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1073X-T1-E3

SI1073X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1063-A-GM

SI1063-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1071X-T1-E3

SI1071X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1071X-T1-GE3

SI1071X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1067X-T1-E3

SI1067X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1073X-T1-GE3

SI1073X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1070X-T1-E3

SI1070X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1063-A-GMR

SI1063-A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1069X-T1-E3

SI1069X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1064-A-GM

SI1064-A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1069X-T1-GE3

SI1069X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1065-A-GMR

SI1065-A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI1072X-T1-GE3

SI1072X-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SC89

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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