SI1069X-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1069X-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1069X-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-89-6
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

184 mOhm @ 940mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

236mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

SI1069X-T1-GE3TR
SI1069XT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

308pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.86nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

Das Folgende sind "SI1069X-T1-GE3" -Einziper.

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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