SI1304BDL-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1304BDL-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1304BDL-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-70-3
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 900mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

340mW (Ta), 370mW (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

SI1304BDL-T1-E3TR
SI1304BDLT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 900mA (Tc) 340mW (Ta), 370mW (Tc) Surface Mount SC-70-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

900mA (Tc)

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Das Folgende sind "SI1304BDL-T1-E3" -Einziper.

SI1307DL-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI1304BDL-T1-E3

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