SI1403BDL-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI1403BDL-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI1403BDL-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-70-6
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

625mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SI1403BDL-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 1.5A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.5A (Ta)

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Das Folgende sind "SI1403BDL-T1-GE3" -Einziper.

SI1405DL-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI1403BDL-T1-GE3

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