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SI2308CDS-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI2308CDS-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    144 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.6W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    SI2308CDS-T1-GE3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    105pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 2.6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.6A (Tc)
SI2310-TP

SI2310-TP

Beschreibung: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
SI2306-TP

SI2306-TP

Beschreibung: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2311DS-T1-E3

SI2311DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2307-TP

SI2307-TP

Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2309DS-T1-E3

SI2309DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2312-TP

SI2312-TP

Beschreibung: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI2308BDS-T1-GE3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

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