SI2311DS-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2311DS-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2311DS-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

710mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

970pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

8V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 8V 3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3A (Ta)

Das Folgende sind "SI2311DS-T1-GE3" -Einziper.

SI2308DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2315BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2312CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2308BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2308CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2312BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SI2307CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2316BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2309DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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SI2312BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2312-TP

Beschreibung: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

RFQ

SI2311DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2314EDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2315BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2310-TP

Beschreibung: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

RFQ

SI2309CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2316BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI2314EDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI2309CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

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