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SI2334DS-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI2334DS-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI2334DS-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    44 mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    SI2334DS-T1-GE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    634pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 4.9A (Tc) 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.9A (Tc)

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Das Folgende sind "SI2334DS-T1-GE3" -Einziper.
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2331DS-T1-E3

SI2331DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2333-TP

SI2333-TP

Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SI2333DDS-T1-GE3

SI2333DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
RFQ
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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