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SI2341DS-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI2341DS-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    72 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    710mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 2.5A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Ta)
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig

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