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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI3441BDV-T1-E3
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6600102SI3441BDV-T1-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3441BDV-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI3441BDV-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    860mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Andere Namen
    SI3441BDV-T1-E3TR
    SI3441BDVT1E3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 2.45A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.45A (Ta)
SI3434DV-T1-GE3

SI3434DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3442DV

SI3442DV

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SI3440DV-T1-GE3

SI3440DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3438DV-T1-E3

SI3438DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3440ADV-T1-GE3

SI3440ADV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3442BDV-T1-E3

SI3442BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443BDV-T1-GE3

SI3443BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443DDV-T1-GE3

SI3443DDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443CDV-T1-GE3

SI3443CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3441BDV-T1-GE3

SI3441BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3437DV-T1-GE3

SI3437DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443CDV-T1-E3

SI3443CDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3434-TP

SI3434-TP

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
SI3442BDV-T1-GE3

SI3442BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3438DV-T1-GE3

SI3438DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3442CDV-T1-GE3

SI3442CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443BDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3437DV-T1-E3

SI3437DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3440DV-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP

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