SI3441BDV-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI3441BDV-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3441BDV-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

860mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2.45A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.45A (Ta)

Das Folgende sind "SI3441BDV-T1-GE3" -Einziper.

SI3434DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3443CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3437DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3443DDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3438DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3434DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3440DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3443CDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3443BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3440ADV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3442BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3442BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3437DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3442CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3442DV

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SI3440DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3443DV

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SI3441BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3438DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI3443BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

SI3441BDV-T1-GE3

Online-Anfrage

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

SI3434DV-T1-GE3

SI3443CDV-T1-GE3

SI3437DV-T1-E3

SI3443DDV-T1-GE3

SI3438DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

SI3440DV-T1-E3

SI3443CDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-GE3

SI3440ADV-T1-GE3

SI3442BDV-T1-E3

SI3442BDV-T1-GE3

SI3437DV-T1-GE3

SI3442CDV-T1-GE3

SI3442DV

SI3440DV-T1-GE3

SI3443DV

SI3441BDV-T1-E3

SI3438DV-T1-GE3

SI3443BDV-T1-E3

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache