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2005459SI3446ADV-T1-E3-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3446ADV-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI3446ADV-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37 mOhm @ 5.8A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Ta), 3.2W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Andere Namen
    SI3446ADV-T1-E3TR
    SI3446ADVT1E3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    640pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 6A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A (Tc)
SI3452-B02-GM

SI3452-B02-GM

Beschreibung: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3445DV-T1-E3

SI3445DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3445DV-T1-GE3

SI3445DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443CDV-T1-GE3

SI3443CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3451DV-T1-GE3

SI3451DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3451DV-T1-E3

SI3451DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443DDV-T1-GE3

SI3443DDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3445ADV-T1-E3

SI3445ADV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3447BDV-T1-E3

SI3447BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3452-B01-IM

SI3452-B01-IM

Beschreibung: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3445ADV-T1-GE3

SI3445ADV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443DV

SI3443DV

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SI3447CDV-T1-E3

SI3447CDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3452-B01-GM

SI3452-B01-GM

Beschreibung: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI3443DVTR

SI3443DVTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SI3446ADV-T1-GE3

SI3446ADV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3447BDV-T1-GE3

SI3447BDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443DVTRPBF

SI3443DVTRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SI3447CDV-T1-GE3

SI3447CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI3443DV

SI3443DV

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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