SI3447CDV-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3447CDV-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3447CDV-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 3W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3447CDV-T1-E3-ND
SI3447CDV-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 8V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 7.8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.8A (Tc)

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Das Folgende sind "SI3447CDV-T1-E3" -Einziper.

SI3452-B02-GM

Beschreibung: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI3447CDV-T1-E3

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