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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI3464DV-T1-GE3

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SI3464DV-T1-GE3-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3464DV-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3464DV-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3464DV-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 3.6W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3464DV-T1-GE3TR
SI3464DVT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

27 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1065pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Tc)

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Das Folgende sind "SI3464DV-T1-GE3" -Einziper.

SI3473DDV-T1-GE3

SI3473DDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3462-EVB

Beschreibung: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI3469DV-T1-GE3

SI3469DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3469DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3461-E02-GM

Beschreibung: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI3465DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3467DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3465DV-T1-GE3

SI3465DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3461-E01-GM

Beschreibung: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI3467DV-T1-GE3

SI3467DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3462-E01-GM

Beschreibung: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI3460DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3473DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3462-E01-GMR

Beschreibung: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI3461-KIT

Beschreibung: BOARD EVAL FOR SI3461

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3461-E01-GMR

Beschreibung: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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