SI3469DV-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3469DV-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3469DV-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 6.7A, 10V
Verlustleistung (max)

1.14W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3469DV-T1-GE3TR
SI3469DVT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 5A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A (Ta)

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Das Folgende sind "SI3469DV-T1-GE3" -Einziper.

SI3467DV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3469DV-T1-GE3

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