SI3552DV-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3552DV-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3552DV-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 2.5A, 10V
Leistung - max

1.15W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3552DV-T1-GE3TR
SI3552DVT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 5V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-
Basisteilenummer

SI3552

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Das Folgende sind "SI3552DV-T1-GE3" -Einziper.

SI3588DV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3552DV-T1-GE3

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