SI3993DV-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI3993DV-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI3993DV-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

133 mOhm @ 2.2A, 10V
Leistung - max

830mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

SI3993DV-T1-E3TR
SI3993DVT1E3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.8A
Basisteilenummer

SI3993

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Das Folgende sind "SI3993DV-T1-E3" -Einziper.

SI3993CDV-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI3993DV-T1-E3

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