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SI4114DY-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4114DY-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4114DY-T1-E3-ND
    SI4114DY-T1-E3TR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3700pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    20A (Tc)
SI4113-D-GMR

SI4113-D-GMR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4113-EVB

SI4113-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4114G-B-GM

SI4114G-B-GM

Beschreibung: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4114G-BM

SI4114G-BM

Beschreibung: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4113-BT

SI4113-BT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4115G-BM

SI4115G-BM

Beschreibung: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4113M-EVB

SI4113M-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4122-D-GM

SI4122-D-GM

Beschreibung: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4112-EVB

SI4112-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4113-D-GT

SI4113-D-GT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4122-D-GMR

SI4122-D-GMR

Beschreibung: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4113-D-ZT1

SI4113-D-ZT1

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4113-D-GM

SI4113-D-GM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Beschreibung: BOARD EVAL SI4114G-BM

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4113-D-GTR

SI4113-D-GTR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4122-BT

SI4122-BT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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