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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > SI4114DY-T1-GE3

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SI4114DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4114DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4114DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4114DY-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 20A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Tc)

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Das Folgende sind "SI4114DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4113-D-GTR

SI4113-D-GTR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4114GM-EVB

SI4114GM-EVB

Beschreibung: BOARD EVAL SI4114G-BM

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4113M-EVB

SI4113M-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4112M-EVB

SI4112M-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4112

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4113-D-GT

SI4113-D-GT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4116DY-T1-GE3

SI4116DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4122-D-GMR

Beschreibung: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4113-D-GM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4122-BT

SI4122-BT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4114G-B-GM

Beschreibung: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4113-D-GMR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4114DY-T1-E3

SI4114DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4122-D-GM

Beschreibung: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4116DY-T1-E3

SI4116DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4113-EVB

SI4113-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4113

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4122-D-GT

SI4122-D-GT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4114G-BM

Beschreibung: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4113-D-ZT1

SI4113-D-ZT1

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4113-BT

SI4113-BT

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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SI4115G-BM

SI4115G-BM

Beschreibung: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

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