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SI4126DY-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4126DY-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4126DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.75 mOhm @ 15A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4126DY-T1-GE3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4405pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    105nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 39A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    39A (Tc)

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SI4123M-EVB

SI4123M-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4126-F-BMR

SI4126-F-BMR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4123-EVB

SI4123-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4123

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4133-D-GTR

SI4133-D-GTR

Beschreibung: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4123-D-GTR

SI4123-D-GTR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4133-D-GT

SI4133-D-GT

Beschreibung: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4126-F-BM

SI4126-F-BM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4126M-EVB

SI4126M-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4126

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI4133-D-GMR

SI4133-D-GMR

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4126-BM

SI4126-BM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4128BDY-T1-GE3

SI4128BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4133-BT

SI4133-BT

Beschreibung: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4133-D-GM

SI4133-D-GM

Beschreibung: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4126-F-GMR

SI4126-F-GMR

Beschreibung: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4133-EVB

SI4133-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
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SI4126-F-GM

SI4126-F-GM

Beschreibung: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
RFQ
SI4128DY-T1-E3

SI4128DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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