Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI4204DY-T1-GE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
3751643

SI4204DY-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2500+
$0.947
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4204DY-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Leistung - max
    3.25W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4204DY-T1-GE3TR
    SI4204DYT1GE3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    27 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2110pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 19.8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    19.8A
  • Basisteilenummer
    SI4204
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4210-EVB

SI4210-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4210

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4206-EVB

SI4206-EVB

Beschreibung: BOARD EVAL FOR SI4206

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4210-A-IF-EVB

SI4210-A-IF-EVB

Beschreibung: BOARD INTERFACE FOR SI4210

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4205-BM

SI4205-BM

Beschreibung: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Beschreibung: BOARD EVAL FOR SI4200

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4200-GM

SI4200-GM

Beschreibung: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4201-BM

SI4201-BM

Beschreibung: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4206-BM

SI4206-BM

Beschreibung: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4201-GM

SI4201-GM

Beschreibung: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4205-EVB+F19

SI4205-EVB+F19

Beschreibung: BOARD EVAL FOR SI4205

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4210-E-RF-EVB

SI4210-E-RF-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4210

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4210-G-KT-EVB

SI4210-G-KT-EVB

Beschreibung: BOARD EMULATION FOR SI4210

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4210-E-KT-EVB

SI4210-E-KT-EVB

Beschreibung: BOARD EMULATION FOR SI4210

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4200-BM

SI4200-BM

Beschreibung: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4210-D-GM

SI4210-D-GM

Beschreibung: IC TXRX QUAD-BAND 32QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden