SI4202DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4202DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4202DY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max

3.7W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4202DY-T1-GE3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12.1A 3.7W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12.1A

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Das Folgende sind "SI4202DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4200-GM

Beschreibung: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

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