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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI4214DDY-T1-E3
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SI4214DDY-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4214DDY-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19.5 mOhm @ 8A, 10V
  • Leistung - max
    3.1W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    660pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8.5A
SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4210-G-KT-EVB

SI4210-G-KT-EVB

Beschreibung: BOARD EMULATION FOR SI4210

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4210-T-IF-EVB

SI4210-T-IF-EVB

Beschreibung: BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4212-TKDX-EVB

SI4212-TKDX-EVB

Beschreibung: KIT EVAL TXRX FOR SI4212

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4212-RRDA-EVB

SI4212-RRDA-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4212

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4210-X-BO-EVB

SI4210-X-BO-EVB

Beschreibung: BOARD BREAKOUT FOR SI4210

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4210-G-RF-EVB

SI4210-G-RF-EVB

Beschreibung: BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4212-TRDX-EVB

SI4212-TRDX-EVB

Beschreibung: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4212-RKDA-EVB

SI4212-RKDA-EVB

Beschreibung: BOARD EMULATION FOR SI4212

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4212-B-GM

SI4212-B-GM

Beschreibung: IC RF TXRX CELLULAR 36-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4210DY-T1-GE3

SI4210DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

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