Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SI4230DY-T1-GE3

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

4174628

SI4230DY-T1-GE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI4230DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4230DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.5 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max

3.2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "SI4230DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4311-B10-GM

Beschreibung: IC RX FSK 315/434MHZ 20VQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4212-RRDA-EVB

SI4212-RRDA-EVB

Beschreibung: BOARD EVALUATION FOR SI4212

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

Hersteller: Vishay Siliconix

vorrätig

SI4310BDY-T1-E3

SI4310BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4300T-B-BM

SI4300T-B-BM

Beschreibung: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4300-E-BM

SI4300-E-BM

Beschreibung: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4212-TRDX-EVB

SI4212-TRDX-EVB

Beschreibung: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4311-B12-GM

Beschreibung: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4300-EVB

SI4300-EVB

Beschreibung: BOARD EVAL FOR SI4300

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

SI4212-TKDX-EVB

SI4212-TKDX-EVB

Beschreibung: KIT EVAL TXRX FOR SI4212

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.