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SI4320DY-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4320DY-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 mOhm @ 25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.6W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    17A (Ta)
SI4322DY-T1-GE3

SI4322DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4311-B12-GMR

SI4311-B12-GMR

Beschreibung: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4322DY-T1-E3

SI4322DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4320-J1-FTR

SI4320-J1-FTR

Beschreibung: IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4320-J1-FT

SI4320-J1-FT

Beschreibung: IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4312-B10-GMR

SI4312-B10-GMR

Beschreibung: IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4324DY-T1-E3

SI4324DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4322-A1-FT

SI4322-A1-FT

Beschreibung: IC RCVR FSK 915MHZ 3.8V 16-TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4324DY-T1-GE3

SI4324DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4313-B1-FMR

SI4313-B1-FMR

Beschreibung: IC RX FSK 315-915MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4311-B12-GM

SI4311-B12-GM

Beschreibung: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4330-B1-FMR

SI4330-B1-FMR

Beschreibung: IC RX ISM 240-960MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4313-B1-FM

SI4313-B1-FM

Beschreibung: IC RX FSK 315-915MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4311-B21-GM

SI4311-B21-GM

Beschreibung: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4320DY-T1-GE3

SI4320DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4312-B10-GM

SI4312-B10-GM

Beschreibung: IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4322-A0-FT

SI4322-A0-FT

Beschreibung: IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4330-B1-FM

SI4330-B1-FM

Beschreibung: IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4322-A0-FTR

SI4322-A0-FTR

Beschreibung: IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4311-B21-GMR

SI4311-B21-GMR

Beschreibung: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
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