SI4340DY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4340DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4340DY-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

14-SOIC
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 9.6A, 10V
Leistung - max

1.14W, 1.43W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4340DY-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.3A, 9.9A 1.14W, 1.43W Surface Mount 14-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.3A, 9.9A
Basisteilenummer

SI4340

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Das Folgende sind "SI4340DY-T1-E3" -Einziper.

SI4330-B1-FMR

Beschreibung: IC RX ISM 240-960MHZ 20QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4340DY-T1-E3

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