SI4388DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4388DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4388DY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max

3.3W, 3.5W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

946pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10.7A, 11.3A
Basisteilenummer

SI4388

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Das Folgende sind "SI4388DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4388DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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