SI4409DY-T1-E3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI4409DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4409DY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

332pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 150V 1.3A (Tc) 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.3A (Tc)

Das Folgende sind "SI4409DY-T1-E3" -Einziper.

SI4410DY,518

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

RFQ

SI4403DDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4403CDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4411DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4404DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4408DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4403BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4410DYPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SI4410DY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SI4410BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4411DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4410DY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SI4406DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4410DYTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

SI4410BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4409DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4408DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4403BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4404DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI4406DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

SI4409DY-T1-E3

Online-Anfrage

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

SI4410DY,518

SI4403DDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

SI4411DY-T1-E3

SI4404DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

SI4410DYPBF

SI4410DY

SI4410BDY-T1-E3

SI4411DY-T1-GE3

SI4410DY

SI4406DY-T1-GE3

SI4410DYTRPBF

SI4410BDY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

SI4404DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache