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3676909SI4410DYPBF-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

SI4410DYPBF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4410DYPBF
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI4410DYPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    62-0231PBF
    62-0231PBF-ND
    SP001563080
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1585pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta)

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SI4410DY

SI4410DY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI4413CDY-T1-GE3

SI4413CDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4413DDY-T1-GE3

SI4413DDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4412ADY-T1-GE3

SI4412ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4410DY,518

SI4410DY,518

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
SI4408DY-T1-E3

SI4408DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4412ADY-T1-E3

SI4412ADY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4418DY-T1-E3

SI4418DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4406DY-T1-GE3

SI4406DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI4410DY

SI4410DY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

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SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI4410DYTRPBF

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

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