SI4459BDY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4459BDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHAN 30V SO-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4459BDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4459BDY-T1-GE3CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3490pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

84nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20.5A (Ta), 27.8A (Tc)

Das Folgende sind "SI4459BDY-T1-GE3" -Einziper.

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Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

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