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SI4456DY-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI4456DY-T1-E3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    SI4456DY-T1-E3TR
    SI4456DYT1E3
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5670pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 33A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    33A (Tc)
SI4460-B1B-FM

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4461-B0B-FM

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Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4461-868-DK

SI4461-868-DK

Beschreibung: KIT DEV WIRELESS SI4461 868MHZ

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4455-C2A-GMR

SI4455-C2A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4455DY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4460-C2A-GM

SI4460-C2A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4460-B1B-FMR

SI4460-B1B-FMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4456DY-T1-GE3

SI4456DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4455-C2A-GM

SI4455-C2A-GM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4460-C2A-GMR

SI4460-C2A-GMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4459ADY-T1-GE3

SI4459ADY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4453DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4455-B1A-FM

SI4455-B1A-FM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4451DY-T1-GE3

SI4451DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4460-B0B-FM

SI4460-B0B-FM

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4455DY-T1-GE3

SI4455DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4455-B1A-FMR

SI4455-B1A-FMR

Beschreibung: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)
vorrätig
SI4459BDY-T1-GE3

SI4459BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CHAN 30V SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SI4451DY-T1-E3

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Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

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