SI4532CDY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4532CDY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4532CDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

47 mOhm @ 3.5A, 10V
Leistung - max

2.78W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4532CDY-T1-GE3-ND
SI4532CDY-T1-GE3TR
SI4532CDYT1GE3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.3A 2.78W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A, 4.3A
Basisteilenummer

SI4532

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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