SI4554DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4554DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4554DY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 6.8A, 10V
Leistung - max

3.1W, 3.2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

Q6600094
SI4554DY-T1-GE3-ND
SI4554DY-T1-GE3TR
T2178494
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A

Das Folgende sind "SI4554DY-T1-GE3" -Einziper.

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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