SI4590DY-T1-GE3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4590DY-T1-GE3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4590DY-T1-GE3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

57 mOhm @ 2A, 10V
Leistung - max

2.4W, 3.4W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4590DY-T1-GE3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.4A, 2.8A

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Das Folgende sind "SI4590DY-T1-GE3" -Einziper.

SI4614-A10-GM

Beschreibung: IC DAB/DAB+ FM AM AUTO 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4590DY-T1-GE3

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