SI4620DY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4620DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4620DY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

2W (Ta), 3.1W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4620DY-T1-E3TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 6A (Ta), 7.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Ta), 7.5A (Tc)

Das Folgende sind "SI4620DY-T1-E3" -Einziper.

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