SI4622DY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4622DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4622DY-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

SkyFET®, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 9.6A, 10V
Leistung - max

3.3W, 3.1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2458pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A
Basisteilenummer

SI4622

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Das Folgende sind "SI4622DY-T1-E3" -Einziper.

SI4622-A10-AM

Beschreibung: IC DGTL HD RADIO FM HP SGL 48QFN

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4622DY-T1-E3

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