SI4670DY-T1-E3

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Spezifikation

Artikelnummer

SI4670DY-T1-E3
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI4670DY-T1-E3.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max

2.8W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI4670DY-T1-E3DKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

27 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A
Basisteilenummer

SI4670

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Das Folgende sind "SI4670DY-T1-E3" -Einziper.

SI4682-A10-GDR

Beschreibung: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Hersteller: Energy Micro (Silicon Labs)

vorrätig

SI4670DY-T1-E3

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